上海青浦区硝酸银,半导体芯片蓝膜回收
2025-08-29 04:23:01 585次浏览
价 格:面议
贵金属(precious metal)主要指金、银和铂族金属(钌、铑、钯、锇、铱、铂)等8种金属元素。这些金属大多数拥有美丽的色泽,具有较强的化学稳定性,一般条件下不易与其他化学物质发生化学反应。
银首饰
市面上常见的银首饰有:
①925银,有人也称为纹银,要求银的含量不得低于925‰,其他7.5‰可以是铜或抗氧化元素,可标识为S925或Ag925、银925,密度10.4g/cm3。
②足银,要求银的含量不得低于990‰,可标识为S990或Ag990、银990。偶尔也能见到800银(银含量不得低于800‰)。近几年发现生产厂家为了防止银首饰氧化,常常在925银和足银的表面再镀上一层镍,检测时若不小心就很容易将其误认为是假货或仿银制品。
从废胶片中回收银 昆明贵金属研究所使用稀硫酸液洗脱彩片上含银乳剂层,氯盐加热沉淀卤化银,氯化培烧或有机溶剂洗涤除有机物,碱性介质用糖类固体悬浮还原得纯银。银纯度99.9%,直收率98%。此法已申请专利。物资再生利用研究所(原内贸部物资再生利用研究所)采用硫代硫酸钠溶液溶解废胶片上的卤化银,溶解过程中加入抑制剂阻止胶片上明胶的溶解,溶解液经电解回收银,片基回收利用。银浸出率>99%,回收率98%,银纯度99.9%,此法已应用于工业生产。
从废催化剂中回收铂、钯 其一,溶解贵金属法,昆明贵金属研究所与上海石化总厂采用高温焙烧、盐酸加氧化浸出,锌粉置换,盐酸加氧化剂溶解,固体氯化铵沉铂,锻烧得纯铂,产品铂纯度99.9%,回收率97.8%。已申请中国专利。其二,物资再生利用研究所与核工业部五所合作采用“全熔法”浸出,离子交换吸附铂(或钯),铂的回收率>98%。钯的收率>97%。产品纯度均>99。95%。已申请中国专利,并在数家工厂使用。其三,物资再生利用研究所与扬子石化公司合作研究从废钯碳催化剂中回收钯。废催化剂经烧碳,氯化浸出,氨络合,酸化提纯,后水合肼还原获纯度>99.95%海绵钯,络合渣等废液中少量钯经树脂吸附回收。钯回收率>98%。已申请中国专利。
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钯是世界上稀有的贵金属之一,元素符号Pd,是铂族元素之一。钯金的纯度极高,外观与铂金相似,自然状态下呈银白色金属光泽而且永远不会褪色。钯金比较稳定,能耐酸的侵蚀,几乎没有杂质,纯度极高,分适合使用在肌肤上国际首饰业界开始加工钯金,使之作为首
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钌是一种硬而脆呈浅灰色的多价稀有金属元素,元素符号是Ru,是铂族金属中的一员,在地壳中含量仅为十亿分之一,是稀有的金属之一,性质很稳定,耐腐蚀性很强,常温即能耐盐酸、硫酸、硝酸以及王水的腐蚀。钌是铂族金属中的一种金属,尽管铂、钯等其他金属都
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尽管制备方法看似成熟,但实际操作中仍有不少难题需要攻克:成分配比的性:氧化锡的掺杂量通常控制在5-10%之间,过高会导致透明度下降,过低则影响导电性。如何在微观尺度上实现均匀混合,是一个技术挑战。靶材密度:低密度靶材在溅射时容易产生颗粒飞溅
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目前,ITO靶材的制备主要有两种常见方法:热压烧结法和冷等静压法。热压烧结法工艺流程:将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后,放入模具,在高温(1000-1500°C)和高压(几十到几百兆帕)下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合,形成致密的靶材结构
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从化学角度看,ITO是一种复合氧化物,其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度,而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比,ITO能够在保持光学透明的同时,具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性
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尽管制备方法看似成熟,但实际操作中仍有不少难题需要攻克:成分配比的性:氧化锡的掺杂量通常控制在5-10%之间,过高会导致透明度下降,过低则影响导电性。如何在微观尺度上实现均匀混合,是一个技术挑战。靶材密度:低密度靶材在溅射时容易产生颗粒飞溅
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ITO靶材,全称氧化铟锡靶材,是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡(简称ITO)是一种n型半导体材料,通常由90%的氧化铟(In₂O₃)和10%的氧化锡(SnO₂)组成。这种材料以其的透明度和导电性,成为现代电子工业中不可或缺的组成部
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制备完成后,ITO靶材在实际应用中还会遇到一些问题:溅射不均匀:如果靶材内部存在微小缺陷或成分偏差,溅射过程中可能出现局部过热,导致薄膜厚度不一致。靶材破裂:在高功率溅射时,靶材承受的热应力可能超出其极限,造成破裂,进而影响生产线的连续性。
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目前,ITO靶材的制备主要有两种常见方法:热压烧结法和冷等静压法。热压烧结法工艺流程:将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后,放入模具,在高温(1000-1500°C)和高压(几十到几百兆帕)下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合,形成致密的靶材结构
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从物理性质上看,ITO靶材具有以下几个显著特点:高透明度:在可见光范围内(波长400-700纳米),ITO薄膜的透光率可高达90%以上,几乎与普通玻璃相当。优异导电性:其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级,远低于大多数透明材料。化学稳定性
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ITO靶材,全称氧化铟锡靶材,是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡(简称ITO)是一种n型半导体材料,通常由90%的氧化铟(In₂O₃)和10%的氧化锡(SnO₂)组成。这种材料以其的透明度和导电性,成为现代电子工业中不可或缺的组成部
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ITO靶材的核心用途是在磁控溅射工艺中作为“溅射源”。磁控溅射是一种常见的薄膜沉积技术,通过高能离子轰击靶材表面,使靶材原子被“敲击”出来,终沉积在基板上,形成一层均匀的ITO薄膜。这层薄膜厚度通常在几十到几百纳米之间,却能同时实现导电和透
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尽管制备方法看似成熟,但实际操作中仍有不少难题需要攻克:成分配比的性:氧化锡的掺杂量通常控制在5-10%之间,过高会导致透明度下降,过低则影响导电性。如何在微观尺度上实现均匀混合,是一个技术挑战。靶材密度:低密度靶材在溅射时容易产生颗粒飞溅
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随着高科技产业的迅猛发展,稀有金属铟的需求日益增长。铟靶材与ITO靶材作为关键材料,在电子、光电及半导体等领域发挥着重要作用。本文旨在探讨铟靶材与ITO靶材的区别,以及它们在回收技术、环保与经济效益方面的差异。透明导电薄膜在现代光电行业中具
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从化学角度看,ITO是一种复合氧化物,其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度,而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比,ITO能够在保持光学透明的同时,具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性
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制造ITO靶材是一项技术密集型的工作,涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性,而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。目前,ITO靶材的制备主要有两种常见方法:热压烧结法和冷等静压法。热压烧结
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ITO靶材,全称氧化铟锡靶材,是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡(简称ITO)是一种n型半导体材料,通常由90%的氧化铟(In₂O₃)和10%的氧化锡(SnO₂)组成。这种材料以其的透明度和导电性,成为现代电子工业中不可或缺的组成部
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从物理性质上看,ITO靶材具有以下几个显著特点:高透明度:在可见光范围内(波长400-700纳米),ITO薄膜的透光率可高达90%以上,几乎与普通玻璃相当。优异导电性:其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级,远低于大多数透明材料。化学稳定性
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铟靶材主要由金属铟制成,具有质软、延展性好和导电性强的特点。作为稀有金属,铟在自然界的含量稀少,但其独特的物理和化学性质使其成为众多高科技产品的核心组件。铟靶材广泛应用于航空航天、电子工业等领域,是制造高性能电子元器件的关键材料。铟回收具有
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ITO靶材,全称氧化铟锡靶材,是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡(简称ITO)是一种n型半导体材料,通常由90%的氧化铟(In₂O₃)和10%的氧化锡(SnO₂)组成。这种材料以其的透明度和导电性,成为现代电子工业中不可或缺的组成部