上海金山区镀金镀银,擦银布回收
2025-08-15 12:04:01 561次浏览
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金首饰
根据金含量的不同,通常可分为18K金、足金和千足金等。1K等于除以24,即1K约等于4.1667%。24K的理论纯度为。密度为:19.32(g/cm3)。
①18K金首饰的金含量不低于750‰,可标识为18K或G18K、G750、Au750、金18K、金750。密度为:16.15(g/cm3)。
②足金首饰的金含量不低于990‰,可标识为足金或G990、Au990、金990,因2016年5月开始取消千足金标识,含量达到999‰的,标识为足金-999、足金 999、足金:999。
③此外市面上(特别在国外)还可见到一些9K(金含量不低于37.5%,密度11.2g/cm3)、14K(金含量不低于58.5%,密度13.4g/cm3)和22K(金含量不低于91.6%,密度17.2g/cm3)之类的金首饰。
银首饰
市面上常见的银首饰有:
①925银,有人也称为纹银,要求银的含量不得低于925‰,其他7.5‰可以是铜或抗氧化元素,可标识为S925或Ag925、银925,密度10.4g/cm3。
②足银,要求银的含量不得低于990‰,可标识为S990或Ag990、银990。偶尔也能见到800银(银含量不得低于800‰)。近几年发现生产厂家为了防止银首饰氧化,常常在925银和足银的表面再镀上一层镍,检测时若不小心就很容易将其误认为是假货或仿银制品。
稀金
稀金并不是一种单独的金属,而是一些稀有金属的合金。由于稀金具有某些可与黄金相媲美的特性,如像黄金一样的色泽,同黄金一样的化学稳定性和相似的机械性能。用稀金制作的首饰几乎可达到与金首饰乱真的程度。
金银铂钯依据GB11887-2002《首饰 贵金属纯度的规定及命名方法》,市场上销售的贵金属首饰可分为金首饰、银首饰、铂首饰和钯首饰4种。
废铂、铼催化剂回收 其一,物资再生利用研究所与长岭炼油厂合作,采取“全溶法”浸出,离子交换吸附铂铼,沉淀剂分离铂铼的方法。铂回收率>98%,铼收率>93%,铂铼产品纯度均>99.95%,尾液硫酸铝可作为生产催化剂载体原料。其二,清华大学与北京稀贵金属提炼厂合作。用萃取法回收废催化剂中的铂铼。废催化剂用40%硫酸溶解,溶解液中用40%二异辛基亚砜萃取铼,反萃液生产铼酸钾,硫酸不溶渣灼烧除碳,酸溶浸铂,浸铂液经40%二异辛基亚砜萃取铂,反萃液还原沉铂。铂的萃取率>99%,反萃率>99%,铂直收率>97%,产品铂纯度99.9%;铼的萃取率>99%,反认率>99%。
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ITO靶材,即铟锡氧化物靶材,主要由氧化铟(In₂O₃)和氧化锡(SnO₂)组成,其中氧化铟占比高达90%。ITO靶材因其优异的导电性和高透光性,成为液晶显示器(LCD)、触摸屏及太阳能电池等光电设备的理想材料。其晶体结构稳定,电导率高,确
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半金属回收:一般指硅、硒、碲、砷和硼等。此类金属的物理性能介于金属与非金属之间,如砷是非金属,但能传热导电。 稀有轻金属:指锂、铍、铷、铯和钛。它们的特点是密度小,化学活性强。这类金属的氧化物和氯化物都具有高的稳定性,很难还原。回收废有色金
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制造ITO靶材是一项技术密集型的工作,涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性,而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。氧化铟是一种宽禁带半导体,具有良好的光学透明性,而氧化锡的引入则增强了材料
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制造ITO靶材是一项技术密集型的工作,涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性,而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。随着高科技产业的迅猛发展,稀有金属铟的需求日益增长。铟靶材与ITO靶材作为
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从化学角度看,ITO是一种复合氧化物,其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度,而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比,ITO能够在保持光学透明的同时,具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性
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ITO靶材,全称氧化铟锡靶材,是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡(简称ITO)是一种n型半导体材料,通常由90%的氧化铟(In₂O₃)和10%的氧化锡(SnO₂)组成。这种材料以其的透明度和导电性,成为现代电子工业中不可或缺的组成部
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铟靶材主要由金属铟制成,具有质软、延展性好和导电性强的特点。作为稀有金属,铟在自然界的含量稀少,但其独特的物理和化学性质使其成为众多高科技产品的核心组件。铟靶材广泛应用于航空航天、电子工业等领域,是制造高性能电子元器件的关键材料。ITO(I
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尽管制备方法看似成熟,但实际操作中仍有不少难题需要攻克:成分配比的性:氧化锡的掺杂量通常控制在5-10%之间,过高会导致透明度下降,过低则影响导电性。如何在微观尺度上实现均匀混合,是一个技术挑战。靶材密度:低密度靶材在溅射时容易产生颗粒飞溅
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从物理性质上看,ITO靶材具有以下几个显著特点:高透明度:在可见光范围内(波长400-700纳米),ITO薄膜的透光率可高达90%以上,几乎与普通玻璃相当。优异导电性:其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级,远低于大多数透明材料。化学稳定性
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从化学角度看,ITO是一种复合氧化物,其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度,而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比,ITO能够在保持光学透明的同时,具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性
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从物理性质上看,ITO靶材具有以下几个显著特点:高透明度:在可见光范围内(波长400-700纳米),ITO薄膜的透光率可高达90%以上,几乎与普通玻璃相当。优异导电性:其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级,远低于大多数透明材料。化学稳定性
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在实际生产中,ITO靶材通常被加工成圆形或矩形的块状,与溅射设备配合使用。溅射过程中,靶材的质量直接影响薄膜的均匀性、附着力和性能。因此,高质量的ITO靶材不仅是技术要求,更是生产效率和产品可靠性的保障。在智能手机、平板电脑、超清电视的光滑
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在实际生产中,ITO靶材通常被加工成圆形或矩形的块状,与溅射设备配合使用。溅射过程中,靶材的质量直接影响薄膜的均匀性、附着力和性能。因此,高质量的ITO靶材不仅是技术要求,更是生产效率和产品可靠性的保障。随着高科技产业的迅猛发展,稀有金属铟
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ITO靶材,全称氧化铟锡靶材,是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡(简称ITO)是一种n型半导体材料,通常由90%的氧化铟(In₂O₃)和10%的氧化锡(SnO₂)组成。这种材料以其的透明度和导电性,成为现代电子工业中不可或缺的组成部
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ITO靶材,全称氧化铟锡靶材,是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡(简称ITO)是一种n型半导体材料,通常由90%的氧化铟(In₂O₃)和10%的氧化锡(SnO₂)组成。这种材料以其的透明度和导电性,成为现代电子工业中不可或缺的组成部
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制造ITO靶材是一项技术密集型的工作,涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性,而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。铟回收面临的主要挑战包括铟在电子设备中的低浓度和与其他金属的合金化。传统的
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从化学角度看,ITO是一种复合氧化物,其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度,而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比,ITO能够在保持光学透明的同时,具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性
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制造ITO靶材是一项技术密集型的工作,涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性,而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。目前,ITO靶材的制备主要有两种常见方法:热压烧结法和冷等静压法。热压烧结
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制造ITO靶材是一项技术密集型的工作,涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性,而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。ITO靶材,即铟锡氧化物靶材,主要由氧化铟(In₂O₃)和氧化锡(SnO₂
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从化学角度看,ITO是一种复合氧化物,其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度,而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比,ITO能够在保持光学透明的同时,具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性